郝兰众

作者:发布时间:2018-12-12浏览次数:1559

郝兰众(教授)

姓名:郝兰众

系属:材料物理系

学位:博士

职称:教授

专业:材料物理与化学

导师类别:硕导

电子邮箱:haolanzhong@upc.edu.cn

通讯地址:山东省青岛市黄岛区长江西路66

概况

  • 研究方向

   1、气体敏感材料与智能传感器件:重点研究气敏传感元件材料的可控制备和传感器阵列的有效集成关键技术,发展呼吸性硫化物和环境毒害气体检测的柔性高效可穿戴传感器件;

       2、光电响应材料与探测器件方向。针对新一代光电探测器技术的应用需求,突破新型二维半导体材料制备和器件集成关键技术,研制高效光电探测器件与光谱分析技术。

  • 教育经历

   2008.09-2012.12,电子科技大学,材料物理与化学,博士

   2002.09-2005.04,电子科技大学,材料物理与化学,硕士

   1998.09-2002.07,山东师范大学,物理学,学士

  • 工作经历

   2019.12至今, 中国石油大学(华东)材料科学与工程学院,教授

   2015.11-2016.11,美国加州大学伯克利分校,访问学者

   2012.12-2019.12,中国石油大学(华东)理学院,副教授

   2008.01-2012.12,中国石油大学(华东)理学院,讲师

   2005.04-2007.12,中国石油大学(华东)物理科学与技术学院,助教

  • 学术兼职

 山东省科协科普专家、教育部学位中心评审专家、自然基金委通讯评审专家,Materials HorizonACS Applied Materials and Interface等二十余个国际知名杂志评审人。

  • 主讲课程

 本科生《材料结构表征及应用》、《纳米材料与技术概论》、《材料综合实验》研究生《薄膜技术与材料》

  • 指导研究生及博士后

 累计指导博/硕士生11人。

  • 承担项目

   1、国家自然科学基金项目3

2020.012023.12,大面积柔性SnSe/Si异质薄膜的取向生长与高效光电探测性能研究,项目编号51972341

2016.012018.12二硫化钼-硅异质结材料的制备、微结构与氢气敏感性能研,项目编号51502348

2012.012014.12LiNbO3/ZnO异质结的制备及电学性能,项目编号51102284

  2、山东省自然科学基金2

2016.062019.06Pd掺杂对MoS2/Si异质薄膜光电性能调控机理研究,项目编号ZR2016AM15

2010.102013.10LiNbO3/GaN异质结的制备及电学性能,项目编号ZR2010Q017

  3、自主创新基金3

2018.012020.12MoS2/Si异质薄膜的界面修饰机制和光伏性能研究,项目编号18CX02038A

2015.012018.12,中国石油大学(华东)拔尖人才资助计划;

2014.052016.06MoS2/Si异质薄膜的取向生长、掺杂效应及光伏性能研究,项目编号14CX05038A

  • 荣誉称号

   2015.01,中国石油大学(华东)拔尖人才

  • 著作

   1、郝兰众、韩治德、胡松青.材料物理实验,青岛,中国石油大学出版社,2018.

  • 论文

  1. H. Xu, L. Hao*, H. Liu, S. Dong, Y. Wu, Y. Liu, B. Cao, Z. Wang, C. Ling, S. Li, Z. Xu, Q. Xue, K. Yan. Flexible SnSe Photodetectors with Ultrabroad Spectral Response up to 10.6 µm Enabled by Photobolometric Effect [J]. ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, In Press.

  2. L. Hao, Y. Du, Z. Wang, Y. Wu, H. Xu, S. Dong, H. Liu, Y. Liu, Q. Xue, Z. Han, K. Yan, M. Dong*. Wafer-size growth of 2D layered SnSe films for UV-Visible-NIR photodetector arrays with high responsitivity [J]. Nanoscale, 2020, 12: 7358-7365.

  3. L. Hao, Z. Wang*, H. Xu, K. Yan, S. Dong, H. Liu, Y. Du, Y. Wu, Y. Liu, M. Dong. 2D SnSe/Si heterojunction for self-driven broadband photodetectors [J]. 2D Materials, 2019, 6: 034004.

  4. L. Hao,* H. Xu, S. Dong, Y. Du, L. Luo, C. Zhang, H. Liu, Y. Wu, Y. Liu. SnSe/ SiO2/Si heterostructures for ultrahigh-sensitivity, ultrafast and broadband optical position sensitive detectors [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(1): 55-58.

  5. L. Hao,* H. Liu, H. Xu, S. Dong, Y. Du, Y. Wu, H. Zeng, J. Zhu, Y. Liu. Flexible Pd-WS2/Si heterojunction sensors for highly sensitive detection of hydrogen at room temperature [J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2019, 283: 740-748.

  6. L. Hao,* Y. Liu, Z. Han, Z. Xu, J. Zhu. Giant lateral photovoltaic effect in MoS2/SiO2/Si p-i-n junction [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2018, 735(1): 88-97.

  7. L. Hao,* Y. Liu, Y. Du, Z. Chen, Z. Han, Z. Xu, J. Zhu. Highly enhanced H2 sensing performance of few-layer MoS2/SiO2/Si heterojunctions by surface decoration of Pd nanoparticles [J]. Nanoscale Research Letters, 2017, 12(1): 567.

  8. L. Hao,* Y. Liu, Z. Han, Z. Xu, J. Zhu. Large lateral photovoltaic effect in MoS2/GaAs heterojunction [J]. Nanoscale Research Letters, 2017, 12(1): 562.

  9. L. Hao,* W. Gao, Y. Liu, Y. Liu, Z. Han, Q. Xue, J. Zhu. Self-powered broadband, high-detectivity and ultrafast photodetectors based on Pd-MoS2/Si heterojunctions [J]. Physical Chemistry Chemical Physics, 2016, 18(2): 1131-1139.

  10. L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Y. Liu, Z. Han, L. Yu, Q. Xue, J. Zhu. High hydrogen sensitivity of vertically standing layered MoS2/Si heterojunctions [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 682(1): 29-34.

  11. L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Y. Liu, Z. Han, L. Yu, Q. Xue, J. Zhu. Enhanced photovoltaic characteristics of MoS2/Si hybrid solar cells by metal Pd chemical doping [J]. RSC Advances, 2016, 6(2): 1346-1350.

  12. Y. Liu, W. Guo, X. Lu, W. Gao, G. Li, Y. Guo, J. Zhu, L. Hao*. Density functional theory study of hydrogenation of S to H2S on Pt–Pd alloy surfaces [J]. RSC Advances, 2016, 6(8): 6289-6299.

  13. L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Z. Han, Z. Xu, Y. Liu, J. Zhu. Self-powered photosensing characteristics of amorphous carbon/silicon heterostructures [J]. RSC Advances, 2016, 6(46): 40192-40198.

  14. Y. Liu, L. Hao,* W. Gao, Q. Xue, W. Guo, Z. Wu, Y. Lin, H. Zeng, J. Zhu, W. Zhang. Electrical characterization and ammonia sensing properties of MoS2/Si p–n junction [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2015, 631(1): 105-110.

  15. L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Z. Han, Q. Xue, H. Zeng, Z. Wu, J. Zhu, W. Zhang. Electrical and photovoltaic characteristics of MoS2/Si p-n junctions [J]. Journal of Applied Physics, 2015, 117(11): 114502.

  16. Y. Liu, L. Hao,* W. Gao, Z. Wu, Y. Lin, G. Li, W. Guo, L. Yu, H. Zeng, J. Zhu, W. Zhang. Hydrogen gas sensing properties of MoS2/Si heterojunction [J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2015, 211(1): 537-543.

  17. Y. Liu, L. Hao,* W. Gao, Y. Liu, G. Li, Q. Xue, W. Guo, L. Yu, Z. Wu, X.  Liu, H. Zeng, J. Zhu. Growth and humidity-dependent electrical properties of bulk-like MoS2 thin films on Si [J]. RSC Advances, 2015, 5(91): 74329-74335.

  18. L. Hao,* W. Gao, Y. Liu, Z. Han, Q. Xue, W. Guo, J. Zhu, Y. Li. High-performance n-MoS2/i-SiO2/p-Si heterojunction solar cells [J]. Nanoscale, 2015, 7(18): 8304-8308.

  • 专利

 授权国家发明专利10项:

1)刘云杰,郝兰众,韩治德,薛庆忠.一种以绝缘基片为衬底的碳--碳半导体薄膜材料及制备方法,2018.11.20,中国,ZL201610902726.3.

2)郝兰众,高伟,刘云杰,韩治德,薛庆忠.一种MoS2/Sip-n结太阳能电池器件及其制备方法,2017.06.06,中国,ZL201410699047.1.

3)郝兰众,高伟,刘云杰,韩治德,薛庆忠.Pd/MoS2/SiO2/Si/SiO2/In多结红外光探测器件及其制备方法,2017.03.08,中国,ZL201510386608.7.

4)郝兰众,刘云杰,韩治德,薛庆忠.一种具有ITO/Pd双层结构复合电极的MoS2/Si异质结光伏器件及其制备方法,2017.12.15,中国,ZL201610902913.1.

5)郝兰众,刘云杰,高伟,韩治德,薛庆忠.一种二硫化钼/缓冲层/n-i-p太阳能电池器件及其制备方法,2016.09.14,中国,ZL201510034090.0.

6)郝兰众,刘云杰,高伟,韩治德,薛庆忠.一种Pd-MoS2异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法,2016.09.26,中国,ZL201510558994.3.

7)朱俊,郝兰众,吴志鹏,李言荣,张万里.含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法,2015.07.01,中国,ZL201210327192.8.

8)朱俊,郝兰众,吴志鹏,李言荣,张万里.铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法,2016.01.20,中国,ZL201210327259.8.

9)朱俊,郝兰众,吴志鹏,李言荣,张万里.一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管,2013.04.03,中国,201110251405.9.

10)朱俊,廖秀尉,郝兰众,李言荣.半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法,2013.06.12,中国,ZL201110266824.X.